RE DIXON雙站反應器
   RE DIXON位于出來的內華達州卡森城，離Tahoe湖一分鐘。RE DIXON公司目前房子 3 萬平方英尺的設施，以處理設備、 零部件和服務。
RE DIXON所提供的服務：
* 電解拋光* 軌道焊接* 工程 & 設計
* 合同制造* 原型* 現場服務* 創業公司* 關閉* 預定下午* 系統故障排除和修復* 工廠再制造* 氣面板維修* 完成反應器再制造* 射頻發生器* 電梯環和基板* 電子控制小組升級* 鐘罩修理* 射頻線圈的重建* 切換開關將重建* 雙子座 I、 II、 III 將重建* 金反射器和修復* 技術支持。RIDGID彎管器

RE DIXON公司主要產品描述：
RE DIXON  Rexon 8 ® 反應器室
Rexon 8 ® 是已完成的*復雜過程的外延反應器室放大的版本、 重摻雜襯底、 原位多摻雜濃度和控制的摻雜梯度層的尖銳過渡寬度增長。Rexon 8 ® 反應器室被設計用于所有類型的半導體器件的制造。設計要滿足的要求的超大規模集成電路、 CMOS、 離散、 數字、 線性模擬與聚介電分離設備。立式氣體入口，旋轉碳化硅涂層熱感，加上**的鐘形配置和可調射頻線圈的設計，給出了處理的晶片負載優良均勻性的厚度和電阻率。處理室和水暖設計有已制造的*高標準，以去除金屬污染物。水和空氣冷卻黃金反射罩反射回的硅晶片的正面能量。這減少了通過晶圓片的溫度差異所引起的應力。Rexon ®反應堆已被用于生長硅單晶從亞微米至厚達 250 微米。Rexon 8 ® 并不局限于一個或兩個硅源，但同樣執行好上硅烷，dichlorsilane。為那些工廠和鑄造廠使用多個硅片直徑可能改變這個反應堆以容納任何從 150 毫米到 300 毫米的晶圓在幾秒鐘內。
 
RE DIXON雙站反應器
Rexon ® 雙站設計允許自動開關在的一個等待的過程分庭的射頻發生器。*後過程氣體面板提供每個反應堆。這種設計優化的處理時間和電源供應使用同一個單一的工具安裝。存款時間小于熱起來，冷靜下來或單*的進程程序在每個分庭上正在運行時，這種設計是特別有用的。也可以通過放機與*二個射頻電源作為一個高使用這個系統。
 
RE DIXON單站反應器
Rexon ® 單站具有一個進程室用專用的電源。存款時間是多長于的組合加熱和降溫或需要通過放高并不是主要的問題時，應該使用這種設計。該單一反應器內還用于成長厚厚的多晶硅層厚度超過 25 密耳。進程已成長這聚層在每分鐘 3-8 微米。弓通常是少于 3 密耳。細晶粒結構與沒有空隙。Rexon ® 反應器具有巨大的門，很簡單的操作訪問。這些折疊門都已鎖定與拉手和軸襯，軸承上旋轉。這種組合可以減少顆粒產生和 foRexon8 倒戈清洗和維護也允許方便地訪問。REIKOTRONIC工業
 
RE DIXON氣體流量控制系統
Rexon ® 氣體叢林被為了接受所有主要制造商的自動質量流量控制器。布局允許容易添加和刪除的組件。過程油管有電拋光的內部，惰性氣體與 VCR 連接使用瓦軸配件焊接。外部然后是電拋光。工藝氣體系統泄漏率小于 1 × 10-8 他 STD cc/秒 Rexon ® 標配可調線圈清除和注入反應器的底部在單*的進程摻雜劑行的測試。每個 Rexon ® 標配，有兩個硅和兩個摻雜源。射頻加熱 Rexon ® 射頻線圈設計用于與 RE DIXON MK 系列射頻發生器。建立了 200 千瓦型是在 75 到 100 千赫范圍內操作。這可以確保足夠的權力交付使用傳輸線路達 50 英尺的長度同時保持足夠高，以防止熱感顫振的頻率。
 
RE DIXON  Rexon2 ® 反應器室
已執行的*復雜的外延過程證明電抗器室和聚硅生長。硅對藍寶石、 選擇性外延生長，重摻雜襯底、 原位多摻雜濃度和控制的摻雜梯度層的尖銳過渡寬度增長。Rexon2 ® 反應器曾經在所有類型的半導體器件的制造中。不管您的要求是超大規模集成電路、 躁郁、 CMOS、 離散、 數字、線性模擬信號或聚為介質隔離設備，我們做到了。立式氣體入口，旋轉碳化硅涂層熱感，加上**的鐘形配置和可調射頻線圈的設計，給出了處理的晶片負載優良均勻性的厚度和電阻率。處理室和水暖設計有已制造的*高標準，以去除金屬污染物。Rexon ® 反應堆已被用于生長硅單晶從亞微米至厚達 250 微米。Rexon ® 并不局限于一個或兩個硅源，但同樣執行以及對硅烷、 dichlorsilane、 三氯氫硅或硅四氯化。對于那些工廠和使用多個硅片直徑的鑄造廠，可能更改 Rexon ® 以容納任何從 2"到 200 毫米的晶圓在幾秒鐘內。
RE DIXON  MK 系列射頻發生器
RE DIXON很高興宣布釋放的 MK 系列射頻發生器。這項開創性的新發電機效率有顯著增加。MK 系列發電機組相比，45*的行業標準，保證 90*的效率與代表在工程設計中的一個飛躍。實際工廠測試得分高達 95*的效率。因為它需要更少的冷卻水，它也降低了提供冷凍的水的成本。這就是為什么所以我們的許多客戶已經選擇用 MK 系列發電機組替換其老化西屋或支柱射頻發生器。這些強大的固態發電機提供 100 到 200 千瓦在 50 到 150 千赫，取代低效振蕩器管系統，提供的性能提升和電氣大幅減少和維修費用。MK 系列發電機，那里是沒有需要更換管，其在舊的系統成本達 16,000 美元，一年更換。與減少的足跡，這些系統還需要珍貴的潔凈室地板空間少得多。MK 系列，以及降低了維護成本。這一技術的奇跡有零耗材。內部組件操作只有 600 伏特 （至 15000 其他競爭模型相比），該系統提供了更高的可靠性，減少組件分解。這還允許為您的員工更多**的工作環境。RE 上的提前操作系統流量控制器的 MK 系列允許您監視輸出，并輕松地執行自我診斷。MK 系列發電機提供優越的性能，為**各地的雙子和 Rexon 系統。德國PS控制器
轉換效率
管型射頻發生器的功率轉換效率將大約 45*的輸入功率。這種效率取決于調優、 類型和年齡的振蕩器管。在實際安裝中的效率可能會更低。如果發電機的功率調節使用滴管管它有效率比 6 脈沖控制 45*效率低得多。MK 系列發電機效率大約是 90*。這涉及到至少 50*的功耗節省。注： MK 200 效率規格包括所有損失 (6 脈沖、 直流電源濾波器、 逆變電源模塊、 輸出匹配變壓器和tank坦克電容器）。地板空間-MK 系列發電機的足跡等于 15 平方呎，與所有負載匹配里面。現有管射頻發生器的 footpring 等于 27.5 平方呎。基于轉換效率的設施水需求-前面所說，將要求您設施供水消散大約 60,000 BTU @ 200 千瓦與 MK 系列電源相比至 45 BTU @ 125 千瓦與真空管射頻發生器。弧以上潛力-以來的*佳工作頻率的 MK 系列是在約 50*的大多數現有的真空電子管射頻發電機的輸出頻率的潛力為傳輸線路或負載線圈弧以上是少得多。該設備被設計為直接替換所有感應加熱的外延設備。它將接受所有的常見的輸入的控制信號 （0 到 5 的馬 4 到 20 mA、 0 到 10 伏特的直流）。從雙子溫度控制器的信號保持不變。射頻輸出直接連接到目前的同軸傳輸線。（一些次要重構的射頻線將有必要）。
 
標準的功能和規格：
RE DIXON控制電源和 EMO 按鈕開關
重置和所有其他的手動功能是通過觸摸屏顯示器。
WinPLC 控制器執行所有系統的日常工作。
可以通過觸摸屏設置功率控制手動選擇所需的運行功率級別
微處理器控制與維護訪問所有功能通過前臺的觸摸屏顯示器 （如果安裝）或局部區域網絡。
諧振頻率自動控制。
流量儀表監視每個三個的冷卻回路。此外監測冷卻劑回路和內閣環境空氣的溫度。
非侵入性，自我診斷測試和監視發射板、 信號和功率 CMOS 器件。所有數據都都可用的前面的液晶觸摸屏上。
內部的匹配電路提供正確匹配在工作線圈 （50-150 千赫） 到所需的輸出頻率。
負載匹配組件，包括當前的匹配變壓器和負載匹配電容器安裝在機箱內。
 
RE DIXON  RE Dixon電源
標準Gemini 2 & Gemini 3 MK-150 晶體管化固態電源的功率為 150千瓦，和帶有匹配為 77 kHz 操作。單位是完全封閉和水冷卻。輸入的功率要求是 480 伏，3 階段，在 60 Hz 或 @ 50 Hz 和 177 千瓦 (在380-410 Vac
RE DIXON公司部分產品型號：

RE DIXON	量規	STK-9100 107GAUGE,BACK PRS 0-60"
RE DIXON	過時的	STK-9140 105OBSOLETE
RE DIXON	配件	STK-7000224 with exchange control,temp,ircon,2000 series
RE DIXON	配件	STK-7000224 no exchange control,temp,ircon,2000 series,rebui
RE DIXON	配件	STK-9050217O-RING,G2,OUTR,BP/LR
RE DIXON	配件	STK-9050216O-RING,G2,INER,BP/LR
RE DIXON	換能器真空	STK-9090607TRANSDUCER,VACUUM
RE DIXON	燈	STK-9150920LAMP,BULB,28V
RE DIXON	接觸器	STK-9151007  CONTACTOR,3PST 4OA USE WITH 9151007-1
RE DIXON	聯系器	STK-9151007-1 CONTACT,AUX,USE W/9151007,8910 CONTACT